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三星台积电制程大比拼台积传17年下半量产10nmFinFET

更新时间  2022-01-16 00:31 阅读
本文摘要:南韩三星电子(SamsungElectronics)凭借着14纳米(nm)FinFET制程、顺利对台湾台积电导致威胁,爆出有可能自台积电手中夺取少部分或大部份(众说纷纭众说纷纭)苹果(Apple)A9处理器订单,而三星堪称在日前于旧金山展出了全球首见专门移动设备设计的10nmFinFET半导体制程、且预计于2年后开始供货,但台积电也不是省油的灯,爆出未来将会最慢在2017年下半年开始大量生产(量产)10nmFinFET。

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南韩三星电子(SamsungElectronics)凭借着14纳米(nm)FinFET制程、顺利对台湾台积电导致威胁,爆出有可能自台积电手中夺取少部分或大部份(众说纷纭众说纷纭)苹果(Apple)A9处理器订单,而三星堪称在日前于旧金山展出了全球首见专门移动设备设计的10nmFinFET半导体制程、且预计于2年后开始供货,但台积电也不是省油的灯,爆出未来将会最慢在2017年下半年开始大量生产(量产)10nmFinFET。  日本综合情报网站「Gadget速报」6日报导,据海外媒体WCCFtech认为,台积电竞争对手三星、英特尔(Intel)已于日前重申计画在2017年内开始获取10nmFinFET,但台积电也不很弱人后,计画于2017年下半年至2018年上半年期间开始量产10nmFinFET。  报导认为,英特尔以外的厂商所生产的14/16nm制程是延用20nm制程的配线层,因此英特尔的半导体制程实质上可说是使用「更加出色的技术」,但目前仍无法确认英特尔此种技术优势能否在10nm世代制程持续享有。

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  台积电财务宽何丽梅曾在1月15日举行的法说会上回应,该公司10纳米制程预计今(2015)年底有望已完成设计定案(Tapeout);台积电总经理暨联合执行长刘德音则认为,10纳米制程将于2017年量产。  VR-Zone、G4Games2月25日援引ZDNetKorea报导,三星电子在2月22-26日于旧金山举行的国际固态电路会议(InternationalSolidStateCircuitConference,ISSCC)上展出了全球首见的10纳米FinFET半导体制程,未来将会抢走在英特尔之前打造出第一款10纳米行动晶片组。  三星电子半导体事业部总裁KimKi-nam在展场中回应,使用10纳米FinFET制程技术的芯片不但更为省电、体积也更加小,是物联网(InternetofThings,IoT)进化进程中非常最重要的一步。

  日本苹果情报网站iPhoneMania1月15日报导,熟悉苹果动向的凯基证券(KGISecurities)公开发表研究报告认为,苹果将在今后1年或2年内在Mac笔电上配备自家行动处理器「A10X」;A10X将使用10纳米FinFET,预计于2016年量产,将由三星不吃下100%订单。


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